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IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

Solo per riferimento

Numero parte IXBT16N170AHV
PNEDA Part # IXBT16N170AHV
Descrizione IGBT
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.596
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBT16N170AHV Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBT16N170AHV
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IXBT16N170AHV Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)16A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 10A
Potenza - Max150W
Switching Energy2.5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge65nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C15ns/250ns
Condizione di test1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268HV

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

Potenza - Max

660W

Switching Energy

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

350nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/200ns

Condizione di test

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

IRGP4086PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

36ns/112ns

Condizione di test

196V, 25A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

IRGR3B60KD2TRP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7.8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

15.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Potenza - Max

52W

Switching Energy

62µJ (on), 39µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/110ns

Condizione di test

400V, 3A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

77ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

FGH40N6S2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

115µJ (on), 195µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

35nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

8ns/35ns

Condizione di test

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

APT35GN120BG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

94A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Potenza - Max

379W

Switching Energy

2.315mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/300ns

Condizione di test

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Venduto di recente

SMAJ36A

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Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

SSQ 2

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Bel Fuse

FUSE BOARD MNT 2A 125VAC/VDC SMD

1SS355VMTE-17

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Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

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Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 1.8A 8DFN

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KEMET

CAP TANT 470UF 10% 6.3V 2917

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG MULTI CONFG ADJ 16MSOP

1.5KE27AG

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Littelfuse

TVS DIODE 23.1V 37.5V AXIAL

UPD720114GA-YEU-AT

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Renesas Electronics America

IC CONTROLLER USB 48TQFP

2744045447

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CMC 5A 2LN 60 OHM SMD

FT4232HL-REEL

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FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB HS QUAD UART/SYNC 64-LQFP

IS25LP032D-JNLE-TR

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP

LFE3-17EA-6MG328C

LFE3-17EA-6MG328C

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IC FPGA 116 I/O 328CSBGA