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ISL6620IBZ

ISL6620IBZ

Solo per riferimento

Numero parte ISL6620IBZ
PNEDA Part # ISL6620IBZ
Descrizione IC SYNC RECT MOSFET DRVR 8-SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL6620IBZ Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL6620IBZ
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL6620IBZ, ISL6620IBZ Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 591,95 KB)
PDFISL6620IBZ-T Datasheet Copertura
ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 2 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 3 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 4 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 5 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 6 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 7 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 8 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 9 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 10

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ISL6620IBZ Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Tempo di salita / discesa (tipico)8ns, 8ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

28ns, 32ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

LTC7001MPMSE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

3.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-MSOP-EP

DGD21814MS14-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SO

MIC4120YML-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 13ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF®

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLF® (2x2)

IR2113SPBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

3.3V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 17ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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