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ISL6620CBZ

ISL6620CBZ

Solo per riferimento

Numero parte ISL6620CBZ
PNEDA Part # ISL6620CBZ
Descrizione IC SYNC RECT MOSFET DRVR 8-SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.518
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL6620CBZ Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL6620CBZ
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL6620CBZ, ISL6620CBZ Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 591,95 KB)
PDFISL6620IBZ-T Datasheet Copertura
ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 2 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 3 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 4 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 5 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 6 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 7 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 8 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 9 ISL6620IBZ-T Datasheet Pagina 10

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ISL6620CBZ Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Tempo di salita / discesa (tipico)8ns, 8ns
Temperatura di esercizio0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

19ns, 19ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-DFN (3x3)

CHL8550CRT

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 1V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-DFN (3x3)

TC4404EOA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 40ns (Max)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.7V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 600mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

70ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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