ISL6612IR
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| Numero parte | ISL6612IR |
| PNEDA Part # | ISL6612IR |
| Descrizione | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN |
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.590 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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ISL6612IR Risorse
| Brand | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ISL6612IR |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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ISL6612IR Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Synchronous |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10.8V ~ 13.2V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 1.25A, 2A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 26ns, 18ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 10-DFN (3x3) |
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Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata High-Side or Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 15V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 20ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale 3-Phase Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 125ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-VFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 28-MLPQ (5x5) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 16V Tensione logica - VIL, VIH 1.22V, 2.08V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 6A, 6A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-TDFN (3x3) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 16V Tensione logica - VIL, VIH 1.22V, 2.08V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 6A, 6A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
Produttore Infineon Technologies Serie µHVIC™ Configurazione guidata High-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 160mA, 240mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 85ns, 40ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-6 |
