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IS66WVH8M8BLL-100B1LI

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Solo per riferimento

Numero parte IS66WVH8M8BLL-100B1LI
PNEDA Part # IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Descrizione IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.160
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS66WVH8M8BLL-100B1LI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS66WVH8M8BLL-100B1LI, IS66WVH8M8BLL-100B1LI Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 5.291,24 KB)
PDFIS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Copertura
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 2 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 3 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 4 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 5 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 6 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 7 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 8 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 9 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 10 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS66WVH8M8BLL-100B1LI Distributor

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina40ns
Tempo di accesso40ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-TFBGA (6x8)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

7024S15PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

24AA16/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

S29WS064RABBHW010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

WS-R

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (11.6x8)

AS4C4M16D1-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

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