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IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR

IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR
PNEDA Part # IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.014
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR, IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 373,71 KB)
PDFIS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Copertura
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 2 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 3 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 4 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 5 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 6 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 7 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 8 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 9 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 10 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Distributor

IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

ATXP032-CCUE-T

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-CBGA (6x8)

CY62146GE-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

CY7C1472V33-200AXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

W632GG6NB12J

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-VFBGA (7.5x13)

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