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IS65WV1288FBLL-45TLA3

IS65WV1288FBLL-45TLA3

Solo per riferimento

Numero parte IS65WV1288FBLL-45TLA3
PNEDA Part # IS65WV1288FBLL-45TLA3
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.590
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS65WV1288FBLL-45TLA3 Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS65WV1288FBLL-45TLA3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS65WV1288FBLL-45TLA3, IS65WV1288FBLL-45TLA3 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 904,4 KB)
PDFIS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Copertura
IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 2 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 3 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 4 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 5 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 6 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 7 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 8 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 9 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 10 IS65WV1288FBLL-45HLA3 Datasheet Pagina 11

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IS65WV1288FBLL-45TLA3 Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP I

I prodotti a cui potresti essere interessato

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

HyperFlash™ KS

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

M25P32-VMF6G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO W

SST25VF080B-50-4C-S2AF-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

50MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT49LD3200-13TC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (1M x 32, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

170ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

W988D2FBJX7E

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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