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IS65WV12816BLL-55TLA3-TR

IS65WV12816BLL-55TLA3-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS65WV12816BLL-55TLA3-TR
PNEDA Part # IS65WV12816BLL-55TLA3-TR
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS65WV12816BLL-55TLA3-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS65WV12816BLL-55TLA3-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR, IS65WV12816BLL-55TLA3-TR Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 315,84 KB)
PDFIS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Copertura
IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 2 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 3 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 4 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 5 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 6 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 7 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 8 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 9 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 10 IS65WV12816BLL-55TA3-TR Datasheet Pagina 11

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IS65WV12816BLL-55TLA3-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

STK14CA8-RF35I

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-SSOP

W9812G6KH-6

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

HTEE25608

Honeywell Aerospace

Produttore

Honeywell Aerospace

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel, SPI

Frequenza di clock

5MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 225°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

56-BCPGA

Pacchetto dispositivo fornitore

56-CPGA

MT47H64M4BP-37E:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

256Mb (64M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

267MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

500ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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