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IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR

IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR
PNEDA Part # IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.894
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR, IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 737,82 KB)
PDFIS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Copertura
IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 2 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 3 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 4 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 5 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 6 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 7 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 8 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 9 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 10 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 11

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  • IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR Distributor

IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

6Gb (384M x 16)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S29CD016J0MQFI000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

CD-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (512K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

56MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

54ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.75V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-BQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

80-PQFP (20x20)

M29W800DB70ZM6E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BR93H86RFJ-WCE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (1K x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1.25MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP-J

S40410161B1B1I010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

e.MMC 1B1

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

16Gb (2G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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