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IS64WV12816DBLL-12BLA3

IS64WV12816DBLL-12BLA3

Solo per riferimento

Numero parte IS64WV12816DBLL-12BLA3
PNEDA Part # IS64WV12816DBLL-12BLA3
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.236
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 13 - nov 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS64WV12816DBLL-12BLA3 Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS64WV12816DBLL-12BLA3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS64WV12816DBLL-12BLA3, IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 456,54 KB)
PDFIS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Copertura
IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 2 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 3 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 4 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 5 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 6 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 7 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 8 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 9 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 10 IS64WV12816DBLL-12BLA3 Datasheet Pagina 11

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  • IS64WV12816DBLL-12BLA3 Distributor

IS64WV12816DBLL-12BLA3 Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-miniBGA (6x8)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

144Kb (16K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

9ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

71V256SA15PZGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

MT47H128M8CF-3 AIT:H TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (8x10)

AT49BV002-12TC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

AS4C128M8D3L-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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