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IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR
PNEDA Part # IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR
Descrizione IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.578
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS62WVS2568FBLL-20NLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR, IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 863,08 KB)
PDFIS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Copertura
IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 2 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 3 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 4 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 5 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 6 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 7 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 8 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 9 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 10 IS62WVS2568FBLL-20NLI Datasheet Pagina 11

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  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR Distributor

IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O, SDI, DTR
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UFDFPN (2x3)

S71VS256RD0AHK4L3

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

VS-R

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH, PSRAM

Dimensione della memoria

256Mbit Flash, 128Mbit RAM

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

56-VFRBGA (7.7x6.2)

IS43TR16128BL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

MT48H16M32L2F5-10

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

71V2556SA133BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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