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IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR

IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR
PNEDA Part # IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.898
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS62WV5128EBLL-45T2LI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR, IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 804,55 KB)
PDFIS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Copertura
IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 2 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 3 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 4 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 5 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 6 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 7 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 8 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 9 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 10 IS62WV5128EALL-55TLI Datasheet Pagina 11

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  • IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR Distributor

IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

50-TSOP II

IDT6116SA25TPI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-PDIP

CY7C1270KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

DS2502G+T&R

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.8V ~ 6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SFN

Pacchetto dispositivo fornitore

2-SFN (6x6)

AS7C3513B-20TCN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP2

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