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IS61WV6416DBLL-10TLI

IS61WV6416DBLL-10TLI

Solo per riferimento

Numero parte IS61WV6416DBLL-10TLI
PNEDA Part # IS61WV6416DBLL-10TLI
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP2
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.940
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61WV6416DBLL-10TLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61WV6416DBLL-10TLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61WV6416DBLL-10TLI, IS61WV6416DBLL-10TLI Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 737,82 KB)
PDFIS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Copertura
IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 2 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 3 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 4 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 5 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 6 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 7 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 8 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 9 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 10 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 11

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IS61WV6416DBLL-10TLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (264 Bytes x 512 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS61LPS12836A-250TQL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

70V9199L7PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

1.125Mb (128K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

MR4A08BYS35

Everspin Technologies Inc.

Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP2

SST39WF1602-90-4C-MBQE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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