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IS61WV6416DBLL-10BLI-TR

IS61WV6416DBLL-10BLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS61WV6416DBLL-10BLI-TR
PNEDA Part # IS61WV6416DBLL-10BLI-TR
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.310
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61WV6416DBLL-10BLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61WV6416DBLL-10BLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61WV6416DBLL-10BLI-TR, IS61WV6416DBLL-10BLI-TR Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 737,82 KB)
PDFIS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Copertura
IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 2 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 3 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 4 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 5 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 6 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 7 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 8 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 9 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 10 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datasheet Pagina 11

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  • IS61WV6416DBLL-10BLI-TR Distributor

IS61WV6416DBLL-10BLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-miniBGA (6x8)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

VS-R

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

44-FBGA (7.5x5)

S25FL256SDSMFBG03

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

AT27C256R-45PU

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

SST39VF401C-70-4C-EKE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

CY7C1347G-250AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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