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IS61WV1288EEBLL-10TLI

IS61WV1288EEBLL-10TLI

Solo per riferimento

Numero parte IS61WV1288EEBLL-10TLI
PNEDA Part # IS61WV1288EEBLL-10TLI
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.712
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61WV1288EEBLL-10TLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61WV1288EEBLL-10TLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61WV1288EEBLL-10TLI, IS61WV1288EEBLL-10TLI Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 1.108,2 KB)
PDFIS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Copertura
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 2 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 3 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 4 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 5 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 6 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 7 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 8 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 9 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 10 IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR Datasheet Pagina 11

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IS61WV1288EEBLL-10TLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP II

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

72Kb (8K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

80-TQFP (14x14)

NAND02GW3B2DZA6E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9.5x12)

AT29C256-70JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

CY7C1514AV18-200BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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7134LA55CB

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

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