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IS61WV102416EDBLL-10BLI

IS61WV102416EDBLL-10BLI

Solo per riferimento

Numero parte IS61WV102416EDBLL-10BLI
PNEDA Part # IS61WV102416EDBLL-10BLI
Descrizione IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61WV102416EDBLL-10BLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61WV102416EDBLL-10BLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61WV102416EDBLL-10BLI, IS61WV102416EDBLL-10BLI Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 756,42 KB)
PDFIS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Copertura
IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 2 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 3 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 4 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 5 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 6 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 7 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 8 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 9 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 10 IS61WV102416EDBLL-10TLI Datasheet Pagina 11

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IS61WV102416EDBLL-10BLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (6x8)

I prodotti a cui potresti essere interessato

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FS-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

MT48LC2M32B2P-55:G TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

AT28C010-20DM/883

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-CDIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-CDIP

AS4C32M16D1-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

70V9179L7PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

288Kb (32K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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