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IS61QDPB21M18A-333M3L

IS61QDPB21M18A-333M3L

Solo per riferimento

Numero parte IS61QDPB21M18A-333M3L
PNEDA Part # IS61QDPB21M18A-333M3L
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.762
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61QDPB21M18A-333M3L Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61QDPB21M18A-333M3L
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61QDPB21M18A-333M3L, IS61QDPB21M18A-333M3L Datasheet (Totale pagine: 31, Dimensioni: 784 KB)
PDFIS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Copertura
IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 2 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 3 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 4 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 5 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 6 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 7 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 8 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 9 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 10 IS61QDPB251236A-333M3L Datasheet Pagina 11

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  • IS61QDPB21M18A-333M3L Distributor

IS61QDPB21M18A-333M3L Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QUADP
Dimensione della memoria18Mb (1M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso8.4ns
Tensione - Alimentazione1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-LFBGA (15x17)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

93AA76BT-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS25LQ025B-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

M29W128GH70ZA6F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TBGA (10x13)

CG8016AMT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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