IS61NLP25636A-200TQLI
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| Numero parte | IS61NLP25636A-200TQLI |
| PNEDA Part # | IS61NLP25636A-200TQLI |
| Descrizione | IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.084 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS61NLP25636A-200TQLI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS61NLP25636A-200TQLI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS61NLP25636A-200TQLI, IS61NLP25636A-200TQLI Datasheet
(Totale pagine: 37, Dimensioni: 681,44 KB)
  
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IS61NLP25636A-200TQLI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR |
| Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.1ns |
| Tensione - Alimentazione | 3.135V ~ 3.465V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 100-LQFP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 100-TQFP (14x20) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-TFBGA (8x13) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-SOIC |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 66-TSOP II |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15) |
