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IS61LPS204818A-166TQL-TR

IS61LPS204818A-166TQL-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS61LPS204818A-166TQL-TR
PNEDA Part # IS61LPS204818A-166TQL-TR
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61LPS204818A-166TQL-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61LPS204818A-166TQL-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61LPS204818A-166TQL-TR, IS61LPS204818A-166TQL-TR Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 385,02 KB)
PDFIS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Copertura
IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 2 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 3 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 4 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 5 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 6 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 7 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 8 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 9 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 10 IS61VPS102436A-166TQL-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS61LPS204818A-166TQL-TR Distributor

IS61LPS204818A-166TQL-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x20)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

253-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

253-VFBGA (11x11.5)

IS42S16800E-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

S29CD032J1JFAM010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

CD-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (1M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

54ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.75V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

80-FBGA (13x11)

IS61QDB22M18-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QUAD

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (15x17)

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

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