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IS61LPS12836EC-200TQLI

IS61LPS12836EC-200TQLI

Solo per riferimento

Numero parte IS61LPS12836EC-200TQLI
PNEDA Part # IS61LPS12836EC-200TQLI
Descrizione IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.982
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61LPS12836EC-200TQLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61LPS12836EC-200TQLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61LPS12836EC-200TQLI, IS61LPS12836EC-200TQLI Datasheet (Totale pagine: 37, Dimensioni: 2.208,02 KB)
PDFIS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Copertura
IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 2 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 3 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 4 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 5 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 6 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 7 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 8 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 9 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 10 IS64LPS12832EC-200TQLA3 Datasheet Pagina 11

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IS61LPS12836EC-200TQLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria4.5Mb (128K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.1ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-LQFP (14x20)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TBGA (10x8)

SST39VF800A-70-4C-B3KE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

MT47H64M16HR-25 IT:H TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (8x12.5)

PC28F320J3D75D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

75ns

Tempo di accesso

75ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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