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IS61LPS12836A-200TQI-TR

IS61LPS12836A-200TQI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS61LPS12836A-200TQI-TR
PNEDA Part # IS61LPS12836A-200TQI-TR
Descrizione IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.552
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61LPS12836A-200TQI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61LPS12836A-200TQI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61LPS12836A-200TQI-TR, IS61LPS12836A-200TQI-TR Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 540,52 KB)
PDFIS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Copertura
IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 2 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 3 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 4 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 5 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 6 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 7 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 8 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 9 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 10 IS61VPS25618A-200B3I-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS61LPS12836A-200TQI-TR Distributor

IS61LPS12836A-200TQI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria4.5Mb (128K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.1ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x20)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

7µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

M25PE40-VMN6P

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IS42S16160D-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

DSM2180F3-90K6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.1x19.1)

AT24C01-10SI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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