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IS61DDB22M18C-250M3L

IS61DDB22M18C-250M3L

Solo per riferimento

Numero parte IS61DDB22M18C-250M3L
PNEDA Part # IS61DDB22M18C-250M3L
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.770
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61DDB22M18C-250M3L Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61DDB22M18C-250M3L
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61DDB22M18C-250M3L, IS61DDB22M18C-250M3L Datasheet (Totale pagine: 30, Dimensioni: 785,4 KB)
PDFIS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Copertura
IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 2 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 3 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 4 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 5 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 6 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 7 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 8 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 9 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 10 IS61DDB22M18C-250M3 Datasheet Pagina 11

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IS61DDB22M18C-250M3L Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, DDR II
Dimensione della memoria36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso8.4ns
Tensione - Alimentazione1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-LFBGA (15x17)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

CYDM064B08-55BVXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, MoBL

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-VFBGA (6x6)

MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

16Gb (256M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

216-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

216-FBGA (12x12)

IS62WV51216ALL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-miniBGA (7.2x8.7)

IS42S83200G-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

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