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IS49RL18320-107EBL

IS49RL18320-107EBL

Solo per riferimento

Numero parte IS49RL18320-107EBL
PNEDA Part # IS49RL18320-107EBL
Descrizione IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario
1 ---------- $306,5718
50 ---------- $292,2012
100 ---------- $277,8307
200 ---------- $263,4601
400 ---------- $251,4847
500 ---------- $239,5092
Disponibile 7
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS49RL18320-107EBL Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS49RL18320-107EBL
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS49RL18320-107EBL, IS49RL18320-107EBL Datasheet (Totale pagine: 115, Dimensioni: 2.954,7 KB)
PDFIS49RL36160-093EBLI Datasheet Copertura
IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 2 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 3 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 4 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 5 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 6 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 7 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 8 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 9 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 10 IS49RL36160-093EBLI Datasheet Pagina 11

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  • IS49RL18320-107EBL Distributor

IS49RL18320-107EBL Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria576Mb (32M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso8ns
Tensione - Alimentazione1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

R1LP0408DSP-7SR#S0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOP

MT29F512G08CMCABK7-6:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SST39VF800A-70-4I-MAQE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-WFBGA (6x4)

MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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