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IS49NLC36160-33BL

IS49NLC36160-33BL

Solo per riferimento

Numero parte IS49NLC36160-33BL
PNEDA Part # IS49NLC36160-33BL
Descrizione IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.136
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS49NLC36160-33BL Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS49NLC36160-33BL
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS49NLC36160-33BL, IS49NLC36160-33BL Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 1.238,32 KB)
PDFIS49NLC96400-33BLI Datasheet Copertura
IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 2 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 3 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 4 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 5 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 6 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 7 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 8 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 9 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 10 IS49NLC96400-33BLI Datasheet Pagina 11

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  • IS49NLC36160-33BL Distributor

IS49NLC36160-33BL Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock300MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia144-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore144-FCBGA (11x18.5)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

72Kb (4K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

CY7C1049CV33-12ZSXA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-VBGA (12x18)

MT42L128M64D4LC-25 IT:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

240-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

240-FBGA (14x14)

S72XS256RE0AHBJ20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

XS-R

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH, DRAM

Dimensione della memoria

256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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