IS46TR16640A-15GBLA1-TR
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| Numero parte | IS46TR16640A-15GBLA1-TR |
| PNEDA Part # | IS46TR16640A-15GBLA1-TR |
| Descrizione | IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.888 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS46TR16640A-15GBLA1-TR Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS46TR16640A-15GBLA1-TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS46TR16640A-15GBLA1-TR, IS46TR16640A-15GBLA1-TR Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 228,45 KB)
  
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IS46TR16640A-15GBLA1-TR Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
| Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 667MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 20ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.425V ~ 1.575V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 96-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 96-TWBGA (9x13) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 400ps Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-TWBGA (8x10.5) |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (128 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 100kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 6.0V Temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 600ps Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-FBGA |
Produttore Microchip Technology Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 5MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore SkyHigh Memory Limited Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
