IS43R83200F-6TLI
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| Numero parte | IS43R83200F-6TLI |
| PNEDA Part # | IS43R83200F-6TLI |
| Descrizione | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.516 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS43R83200F-6TLI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS43R83200F-6TLI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS43R83200F-6TLI, IS43R83200F-6TLI Datasheet
(Totale pagine: 32, Dimensioni: 1.495,17 KB)
  
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IS43R83200F-6TLI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 700ps |
| Tensione - Alimentazione | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP II |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 54-TSOP II |
