Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IS43DR16640C-3DBLI-TR

IS43DR16640C-3DBLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS43DR16640C-3DBLI-TR
PNEDA Part # IS43DR16640C-3DBLI-TR
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.858
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS43DR16640C-3DBLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS43DR16640C-3DBLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS43DR16640C-3DBLI-TR, IS43DR16640C-3DBLI-TR Datasheet (Totale pagine: 49, Dimensioni: 1.094,66 KB)
PDFIS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Copertura
IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 2 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 3 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 4 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 5 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 6 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 7 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 8 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 9 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 10 IS46DR81280C-3DBLA2 Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IS43DR16640C-3DBLI-TR Datasheet
  • where to find IS43DR16640C-3DBLI-TR
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBLI-TR
  • IS43DR16640C-3DBLI-TR PDF Datasheet
  • IS43DR16640C-3DBLI-TR Stock

  • IS43DR16640C-3DBLI-TR Pinout
  • Datasheet IS43DR16640C-3DBLI-TR
  • IS43DR16640C-3DBLI-TR Supplier

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
  • IS43DR16640C-3DBLI-TR Price
  • IS43DR16640C-3DBLI-TR Distributor

IS43DR16640C-3DBLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso450ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-TWBGA (8x12.5)

I prodotti a cui potresti essere interessato

W25Q32FVSSIQ

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT28C256E-15FM/883-815

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-CFlatPack

Pacchetto dispositivo fornitore

28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

IS29GL128S-10DHB01-TR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

MT41K256M16HA-125 AIT:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (9x14)

MT47H64M8CB-3:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-FBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA

Venduto di recente

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

L7805ABV

L7805ABV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A TO220AB

LQH43CN100K03L

LQH43CN100K03L

Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

LT3080EST#PBF

LT3080EST#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 1.1A SOT223-3

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

TLP350H(F)

TLP350H(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

X36 PB-F PHOTOCOUPLER THRU HOLE

DS18S20Z+T&R

DS18S20Z+T&R

Maxim Integrated

SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

A6H-8101

A6H-8101

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

TL074ID

TL074ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO

APXH200ARA470MH70G

APXH200ARA470MH70G

United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 47UF 20% 20V SMD

NDS331N

NDS331N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3

BC817-16,215

BC817-16,215

Nexperia

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23