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IS42SM32100D-6BLI-TR

IS42SM32100D-6BLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS42SM32100D-6BLI-TR
PNEDA Part # IS42SM32100D-6BLI-TR
Descrizione IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS42SM32100D-6BLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS42SM32100D-6BLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS42SM32100D-6BLI-TR, IS42SM32100D-6BLI-TR Datasheet (Totale pagine: 34, Dimensioni: 840,73 KB)
PDFIS42RM32100D-6BLI Datasheet Copertura
IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 2 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 3 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 4 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 5 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 6 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 7 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 8 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 9 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 10 IS42RM32100D-6BLI Datasheet Pagina 11

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  • IS42SM32100D-6BLI-TR Distributor

IS42SM32100D-6BLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile
Dimensione della memoria32Mb (1M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-TFBGA (8x8)

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IS61LV12824-10TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

3Mb (128K x 24)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CY7C1512AV18-200BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

S29XS064RABBHI000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

XS-R

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

44-FBGA (7.5x5)

AS6C4008A-55SINTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOP

CYPT1545AV18-250GCMB

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

165-BFCCGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CCGA (21x25)

Venduto di recente

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