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IS42SM16800G-75BI-TR

IS42SM16800G-75BI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS42SM16800G-75BI-TR
PNEDA Part # IS42SM16800G-75BI-TR
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.064
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS42SM16800G-75BI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS42SM16800G-75BI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS42SM16800G-75BI-TR, IS42SM16800G-75BI-TR Datasheet (Totale pagine: 33, Dimensioni: 465 KB)
PDFIS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Copertura
IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 2 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 3 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 4 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 5 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 6 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 7 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 8 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 9 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 10 IS42VM16800G-6BL-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS42SM16800G-75BI-TR Distributor

IS42SM16800G-75BI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso6ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-TFBGA (8x8)

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IS42S16320B-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

S25FS256SAGNFI003

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FS-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

24VL025T/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

MT29F1T08CUCABK8-6:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Tb (128G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MTFC16GJDEC-4M IT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

169-WFBGA (14x18)

Venduto di recente

595D336X0035R2T

595D336X0035R2T

Vishay Sprague

CAP TANT 33UF 20% 35V 2824

LS4148-GS08

LS4148-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80

MT41K128M16JT-125 XIT:K

MT41K128M16JT-125 XIT:K

Micron Technology Inc.

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LT3493IDCB#TRPBF

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