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IS25WP032D-RMLE

IS25WP032D-RMLE

Solo per riferimento

Numero parte IS25WP032D-RMLE
PNEDA Part # IS25WP032D-RMLE
Descrizione IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS25WP032D-RMLE Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS25WP032D-RMLE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS25WP032D-RMLE, IS25WP032D-RMLE Datasheet (Totale pagine: 118, Dimensioni: 2.112,9 KB)
PDFIS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Copertura
IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 2 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 3 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 4 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 5 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 6 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 7 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 8 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 9 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 10 IS25WP032D-RMLE-TR Datasheet Pagina 11

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  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
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  • IS25WP032D-RMLE Distributor

IS25WP032D-RMLE Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria32Mb (4M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina800µs
Tempo di accesso8ns
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

134-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

134-FBGA (10x11.5)

24LC515-I/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

93AA66T-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

24VL024H/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Tb (128G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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