IRLZ44STRRPBF
Solo per riferimento
| Numero parte | IRLZ44STRRPBF |
| PNEDA Part # | IRLZ44STRRPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.668 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRLZ44STRRPBF Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IRLZ44STRRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRLZ44STRRPBF, IRLZ44STRRPBF Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 470,56 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRLZ44STRRPBF Datasheet
- where to find IRLZ44STRRPBF
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix IRLZ44STRRPBF
- IRLZ44STRRPBF PDF Datasheet
- IRLZ44STRRPBF Stock
- IRLZ44STRRPBF Pinout
- Datasheet IRLZ44STRRPBF
- IRLZ44STRRPBF Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- IRLZ44STRRPBF Price
- IRLZ44STRRPBF Distributor
IRLZ44STRRPBF Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 31A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 3.65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Infineon Technologies Serie SIPMOS® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 680mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 680mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Produttore STMicroelectronics Serie SuperMESH™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3210pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
