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IRLR8726PBF

IRLR8726PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRLR8726PBF
PNEDA Part # IRLR8726PBF
Descrizione MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.784
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRLR8726PBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRLR8726PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IRLR8726PBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C86A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2150pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)75W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.7A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1918pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 960µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2660pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

219W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

RJK0659DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WPAK

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

2SK4087LS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

610mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FI(LS)

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRF1010ZSTRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2840pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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