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IRL510SPBF

IRL510SPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRL510SPBF
PNEDA Part # IRL510SPBF
Descrizione MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.752
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRL510SPBF Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRL510SPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRL510SPBF, IRL510SPBF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 314,43 KB)
PDFIRL510STRR Datasheet Copertura
IRL510STRR Datasheet Pagina 2 IRL510STRR Datasheet Pagina 3 IRL510STRR Datasheet Pagina 4 IRL510STRR Datasheet Pagina 5 IRL510STRR Datasheet Pagina 6 IRL510STRR Datasheet Pagina 7 IRL510STRR Datasheet Pagina 8 IRL510STRR Datasheet Pagina 9 IRL510STRR Datasheet Pagina 10

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IRL510SPBF Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.6A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

830mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

TK17E80W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 850µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IXTK250N10

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

MegaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

430nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

730W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXTK)

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223

Pacchetto / Custodia

TO-261-3

IRF5803

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro6™(TSOP-6)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Venduto di recente

IRFU9024NPBF

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MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

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FIXED IND 13UH 10A 11.2 MOHM SMD

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DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

DS18S20Z+T&R

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SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

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IC REG BUCK ADJ 3.5A 16MSOP

CMS16(TE12L,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC 100LBGA

WM8962ECSN/R

WM8962ECSN/R

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

DS3232SN#

DS3232SN#

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SD103AW-E3-08

SD103AW-E3-08

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