IRL40B212
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Numero parte | IRL40B212 |
PNEDA Part # | IRL40B212 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 195A |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 20.478 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRL40B212 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRL40B212 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IRL40B212 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 195A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8320pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 231W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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