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IRL3103SPBF

IRL3103SPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRL3103SPBF
PNEDA Part # IRL3103SPBF
Descrizione MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRL3103SPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRL3103SPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IRL3103SPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C64A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1650pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)94W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

103nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

543W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3, Short Tab

TSM120N10PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3902pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

AOY4158P

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

STL21N65M5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

179mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (8x8) HV

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Venduto di recente

2N3390

2N3390

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

MAX15027ATB/V+T

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Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 10TDFN

BZV55C4V7

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Microsemi

DIODE ZENER 4.7V DO213AA

KT2520Y40000ECV28TBA

KT2520Y40000ECV28TBA

Kyocera

XTAL OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV

LTST-C191KRKT

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Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

AD5322BRMZ-REEL

AD5322BRMZ-REEL

Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 10MSOP

CM1624-08DE

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ON Semiconductor

FILTER RLC 40 OHM/12PF/20NH SMD

BAS16

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Panasonic Electronic Components

DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

BZV49-C18,115

BZV49-C18,115

Nexperia

DIODE ZENER 18V 1W SOT89

SMBJ12A

SMBJ12A

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN