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IRGP50B60PD1-EP

IRGP50B60PD1-EP

Solo per riferimento

Numero parte IRGP50B60PD1-EP
PNEDA Part # IRGP50B60PD1-EP
Descrizione IGBT 600V 75A 390W TO247AD
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.572
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRGP50B60PD1-EP Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRGP50B60PD1-EP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRGP50B60PD1-EP Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.85V @ 15V, 50A
Potenza - Max390W
Switching Energy255µJ (on), 375µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge205nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/130ns
Condizione di test390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)42ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD

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Produttore

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

410A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

1100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Potenza - Max

1560W

Switching Energy

5mJ (on), 4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

340nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/370ns

Condizione di test

400V, 100A, 0Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

108ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

STGFW20H65FB

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Potenza - Max

52W

Switching Energy

77µJ (on), 170µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/139ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

33A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Potenza - Max

76W

Switching Energy

570µJ (on), 500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

64nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/105ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFM

FGA50N60LS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Potenza - Max

240W

Switching Energy

1.1mJ (on), 3.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

167nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

54ns/146ns

Condizione di test

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

APT80GA90LD40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

145A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

239A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

1652µJ (on), 1389µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/149ns

Condizione di test

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

Venduto di recente

JAN2N2222A

JAN2N2222A

Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A

CRCW0402499RFKED

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RES SMD 499 OHM 1% 1/16W 0402

74HC273D

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TVS DIODE 12V 25.3V SMB

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Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

PI5USB2544ZHEX

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Diodes Incorporated

IC USB CNTRL DETECT SWTCH 16TQFN

HCS3920FTL500

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Stackpole Electronics

RES 500 UOHM 1% 5W 3920

BAT54T1G

BAT54T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123

CY29942AI

CY29942AI

Cypress Semiconductor

IC CLK BUFFER 1:18 200MHZ 32TQFP

FLZ6V8A

FLZ6V8A

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DIODE ZENER 6.5V 500MW SOD80

SMF6.0A

SMF6.0A

Littelfuse

TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F