IRGIB4610DPBF
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| Numero parte | IRGIB4610DPBF |
| PNEDA Part # | IRGIB4610DPBF |
| Descrizione | IGBT 600V FULLPAK220 COPAK |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.546 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRGIB4610DPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRGIB4610DPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IRGIB4610DPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 10A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | 122µJ (on), 56µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 19A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 38A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 10A Potenza - Max 60W Switching Energy 320µJ (on), 2.58mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 27nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 62ns/690ns Condizione di test 480V, 10A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 37ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
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Produttore Littelfuse Inc. Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 390V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A Potenza - Max 150W Switching Energy - Tipo di ingresso Logic Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/5µs Condizione di test 300V, 9A, 1kOhm, 5V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 121A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 202A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Potenza - Max 520W Switching Energy 715µJ (on), 607µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 198nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 21ns/133ns Condizione di test 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 22ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 [L] |
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