IRG8P75N65UD1PBF
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| Numero parte | IRG8P75N65UD1PBF |
| PNEDA Part # | IRG8P75N65UD1PBF |
| Descrizione | G8 650V 75A CO-PAK-247 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.732 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG8P75N65UD1PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRG8P75N65UD1PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IRG8P75N65UD1PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | - |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 770nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 120ns/890ns Condizione di test 600V, 100A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
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