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IRG7U50HF12A

IRG7U50HF12A

Solo per riferimento

Numero parte IRG7U50HF12A
PNEDA Part # IRG7U50HF12A
Descrizione MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.984
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG7U50HF12A Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG7U50HF12A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
IRG7U50HF12A, IRG7U50HF12A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 987,23 KB)
PDFIRG7U50HF12A Datasheet Copertura
IRG7U50HF12A Datasheet Pagina 2 IRG7U50HF12A Datasheet Pagina 3 IRG7U50HF12A Datasheet Pagina 4 IRG7U50HF12A Datasheet Pagina 5 IRG7U50HF12A Datasheet Pagina 6

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IRG7U50HF12A Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Potenza - Max310W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce6nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaPOWIR® 34 Module
Pacchetto dispositivo fornitorePOWIR® 34

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Potenza - Max

40W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.6V @ 15V, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.205nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ECO-PAC2

Pacchetto dispositivo fornitore

ECO-PAC2

APT60GA60JD60

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

112A

Potenza - Max

356W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

Corrente - Taglio collettore (Max)

275µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.01nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

APTGT50DA170TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

IRG5U200HF12B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

285A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

22.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 62 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 62

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

483W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

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