IRG7CH81K10EF-R
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| Numero parte | IRG7CH81K10EF-R |
| PNEDA Part # | IRG7CH81K10EF-R |
| Descrizione | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.248 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRG7CH81K10EF-R Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRG7CH81K10EF-R |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
IRG7CH81K10EF-R, IRG7CH81K10EF-R Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 202,9 KB)
  
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IRG7CH81K10EF-R Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 745nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 70ns/330ns |
| Condizione di test | 600V, 150A, 1Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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