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IRG4RC20F

IRG4RC20F

Solo per riferimento

Numero parte IRG4RC20F
PNEDA Part # IRG4RC20F
Descrizione IGBT 600V 22A 66W DPAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.010
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4RC20F Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4RC20F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRG4RC20F Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)22A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)44A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
Potenza - Max66W
Switching Energy190µJ (on), 920µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge27nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C26ns/194ns
Condizione di test480V, 12A, 50Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

Potenza - Max

400W

Switching Energy

900µJ (on), 3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/270ns

Condizione di test

960V, 35A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

APT25GP90BG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

72A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Potenza - Max

417W

Switching Energy

370µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/55ns

Condizione di test

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

IRG4PF50WPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

51A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

204A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

190µJ (on), 1.06mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

160nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

29ns/110ns

Condizione di test

720V, 28A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

IXGR50N60B

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/110ns

Condizione di test

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

AIHD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

60µJ (on), 50µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/116ns

Condizione di test

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3-313

Venduto di recente

MMSZ5229B-7-F

MMSZ5229B-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123

TL431ACLPG

TL431ACLPG

ON Semiconductor

IC VREF SHUNT ADJ TO92-3

MT47H64M16NF-25E AIT:M

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Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

SMAJ5.0CA-13-F

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

ATMEGA2561-16AI

ATMEGA2561-16AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 256KB FLASH 64TQFP

PI5USB2544ZHEX

PI5USB2544ZHEX

Diodes Incorporated

IC USB CNTRL DETECT SWTCH 16TQFN

LM833DT

LM833DT

STMicroelectronics

IC AUDIO 2 CIRCUIT 8SO

DS1230Y-150

DS1230Y-150

Maxim Integrated

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

ABM8-25.000MHZ-B2-T

ABM8-25.000MHZ-B2-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

VN610SP-E

VN610SP-E

STMicroelectronics

RELAY SSR HI-SIDE 1CH POWERSO10

V48C3V3C75BL

V48C3V3C75BL

Vicor

DC DC CONVERTER 3.3V 75W

1N4148WS

1N4148WS

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F