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IRG4PH40UD2-EP

IRG4PH40UD2-EP

Solo per riferimento

Numero parte IRG4PH40UD2-EP
PNEDA Part # IRG4PH40UD2-EP
Descrizione IGBT 1200V 41A 160W TO247AD
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 14 - lug 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4PH40UD2-EP Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4PH40UD2-EP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRG4PH40UD2-EP Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)41A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)82A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 21A
Potenza - Max160W
Switching Energy1.95mJ (on), 1.71mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22ns/100ns
Condizione di test800V, 21A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

Potenza - Max

337W

Switching Energy

409µJ (on), 258µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

128nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/84ns

Condizione di test

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

APT80GA60B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

143A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

840µJ (on), 751µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

230nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/158ns

Condizione di test

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

310A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

840A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 140A

Potenza - Max

1630W

Switching Energy

4.3mJ (on), 4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

330nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/145ns

Condizione di test

450V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

IRG7CH54K10EF-R

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

290nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

75ns/305ns

Condizione di test

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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