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IRG4BC30K-SPBF

IRG4BC30K-SPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC30K-SPBF
PNEDA Part # IRG4BC30K-SPBF
Descrizione IGBT 600V 28A 100W D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.028
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC30K-SPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC30K-SPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG4BC30K-SPBF, IRG4BC30K-SPBF Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 164,65 KB)
PDFIRG4BC30K-STRLP Datasheet Copertura
IRG4BC30K-STRLP Datasheet Pagina 2 IRG4BC30K-STRLP Datasheet Pagina 3 IRG4BC30K-STRLP Datasheet Pagina 4 IRG4BC30K-STRLP Datasheet Pagina 5 IRG4BC30K-STRLP Datasheet Pagina 6 IRG4BC30K-STRLP Datasheet Pagina 7 IRG4BC30K-STRLP Datasheet Pagina 8 IRG4BC30K-STRLP Datasheet Pagina 9

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IRG4BC30K-SPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)28A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 16A
Potenza - Max100W
Switching Energy360µJ (on), 510µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge67nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C26ns/130ns
Condizione di test480V, 16A, 23Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

142nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

42A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

81µJ (on), 125µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

53nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/90ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

85µJ (on), 95µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/70ns

Condizione di test

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

55µJ (on), 60µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

37nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

11ns/100ns

Condizione di test

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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TO-247-3

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