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IRG4BC20K-STRRP

IRG4BC20K-STRRP

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC20K-STRRP
PNEDA Part # IRG4BC20K-STRRP
Descrizione IGBT 600V 16A 60W D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.118
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC20K-STRRP Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC20K-STRRP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRG4BC20K-STRRP Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)16A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)32A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 9A
Potenza - Max60W
Switching Energy150µJ (on), 250µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge34nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C28ns/150ns
Condizione di test480V, 9A, 50Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

180nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/500ns

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AE

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204AE

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

35A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

Potenza - Max

-

Switching Energy

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

800V, 35A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

36ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AB

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

94A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Potenza - Max

379W

Switching Energy

2.315mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/300ns

Condizione di test

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 6A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

17nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.08µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

51A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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