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IRG4BAC50W-S

IRG4BAC50W-S

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BAC50W-S
PNEDA Part # IRG4BAC50W-S
Descrizione IGBT 600V 55A 200W SUPER 220
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.946
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BAC50W-S Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BAC50W-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRG4BAC50W-S Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)55A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 27A
Potenza - Max200W
Switching Energy80µJ (on), 320µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C46ns/120ns
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-273AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSUPER-220™ (TO-273AA)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

49.2W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

125nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

STGB10NB60ST4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

29A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

Potenza - Max

80W

Switching Energy

600µJ (on), 5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

33nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

Condizione di test

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK

IRGBC40S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 31A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IRG4BC20K-S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

150µJ (on), 250µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

34nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/150ns

Condizione di test

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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Produttore

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Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

21A

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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