IRFSL9N60ATRL
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| Numero parte | IRFSL9N60ATRL |
| PNEDA Part # | IRFSL9N60ATRL |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.916 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFSL9N60ATRL Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFSL9N60ATRL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRFSL9N60ATRL, IRFSL9N60ATRL Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 230,13 KB)
  
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IRFSL9N60ATRL Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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