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IRFS11N50ATRLP

IRFS11N50ATRLP

Solo per riferimento

Numero parte IRFS11N50ATRLP
PNEDA Part # IRFS11N50ATRLP
Descrizione MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.850
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFS11N50ATRLP Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFS11N50ATRLP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFS11N50ATRLP, IRFS11N50ATRLP Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 346,15 KB)
PDFIRFS11N50ATRR Datasheet Copertura
IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 2 IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 3 IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 4 IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 5 IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 6 IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 7 IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 8 IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 9 IRFS11N50ATRR Datasheet Pagina 10

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IRFS11N50ATRLP Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1423pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)170W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2245pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

138W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

IXYS

Serie

PolarHT™ HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

EPC2032

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 30A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 11mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1530pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Pacchetto / Custodia

Die

IRF6714MTR1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Ta), 166A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3890pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MX

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MX

BSZ900N15NS3GATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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