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IRFR9214TRL

IRFR9214TRL

Solo per riferimento

Numero parte IRFR9214TRL
PNEDA Part # IRFR9214TRL
Descrizione MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.966
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFR9214TRL Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFR9214TRL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFR9214TRL, IRFR9214TRL Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 242,67 KB)
PDFIRFR9214TRR Datasheet Copertura
IRFR9214TRR Datasheet Pagina 2 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 3 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 4 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 5 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 6 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 7 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 8 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 9 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 10 IRFR9214TRR Datasheet Pagina 11

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IRFR9214TRL Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

NTMFS4933NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 210A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10930pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.06W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1000W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

CZDM1003N TR

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

975pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

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-

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-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

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-

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