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IRFR9120NTRL

IRFR9120NTRL

Solo per riferimento

Numero parte IRFR9120NTRL
PNEDA Part # IRFR9120NTRL
Descrizione MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.048
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IRFR9120NTRL Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFR9120NTRL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFR9120NTRL, IRFR9120NTRL Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 122,84 KB)
PDFIRFR9120NTRR Datasheet Copertura
IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 2 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 3 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 4 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 5 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 6 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 7 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 8 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 9 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 10 IRFR9120NTRR Datasheet Pagina 11

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IRFR9120NTRL Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.6A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)40W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN2005K-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IMZ120R030M1HXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1.2kV

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 25A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.7V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 18V

Vgs (massimo)

+23V, -7V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.12nF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

227W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-4-1

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

AUIRFR4615TRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

144W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AO4435L_101

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 11A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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