IRFR540ZPBF
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| Numero parte | IRFR540ZPBF |
| PNEDA Part # | IRFR540ZPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.226 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFR540ZPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFR540ZPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRFR540ZPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.5mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 91W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 18V Vgs (massimo) +22V, -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 800V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 165W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5415pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 280W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
